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在生活中我們經(jīng)常會(huì )用到各類(lèi)玻璃制品,例如玻璃窗、玻璃杯、玻璃移門(mén)等。玻璃制品兼顧美觀(guān)與實(shí)用,既能夠憑借晶瑩剔透的外表惹人喜愛(ài),又能夠充分利用其堅硬耐用的物理性能。一些藝術(shù)玻璃甚至會(huì )使玻璃具有更多的圖樣,增強裝飾效果。本篇文章中我們將介紹ito導電膜,說(shuō)明其材質(zhì)種類(lèi)與外觀(guān)質(zhì)量標準。

ITO導電膜是一種具有導電功能的氧化銦錫薄膜,基材通常為PET材質(zhì),是在PET薄膜上形成以稀有金屬I(mǎi)n(銦)為主要原料的ITO(Indium Tin Oxide)靶材而制成的.
作為一種n型半導體材料,ITO導電膜具有較高的自有載流子濃度(電阻率低)、禁帶寬度1、可見(jiàn)光譜區光透射率高等光學(xué)特征,基于透光率和導電性能較好,ITO導電膜被廣泛應用于平板顯示器件、太陽(yáng)能電池等諸多領(lǐng)域. ITO導電膜的主要特性包括:(1)導電性能好,電阻率可達10-4Ω? cm;(2)可見(jiàn)光透光率高,可達85%以上;(3)對紫外線(xiàn)具有吸收性,吸收率在85%以上;(4)對紅外線(xiàn)具有反射性,反射率在80%以上;(5)對微波具有衰減性,衰減率也可達85%(6)薄層硬度高,耐磨,耐化學(xué)腐蝕;(7)膜層加工性能好,便于刻蝕等.高的可見(jiàn)光透光率與相當低的電阻率結合在一起,使ITO薄膜成為目前綜合性能較優(yōu)異的透明導電材料之一.
ITO 薄膜的制備方法有多種,主要分為兩大類(lèi):物理法和化學(xué)法,物理法包括磁控濺射、真空蒸發(fā)、離子增強沉積、激光脈沖沉積等,化學(xué)法包括熱解噴涂、化學(xué)氣相沉積、溶膠-凝膠法等,在這些制備方法中目前使用較多的是磁控濺射法.

裂紋:不允許。粘附物:包括塵粒、玻璃碎等凸起物,TN型ITO導電玻璃鍍膜面不允許有不可去除的高度超過(guò)0.1mm的粘附物;STN型ITO導電玻璃鍍膜面不允許有不可去除的高度超過(guò)0.05mm的粘附物。沾污:不可有不溶于水或一般清洗劑無(wú)法除去的沾污。崩邊:長(cháng)X寬≤2.0mmx1.0mm;高層度不超過(guò)玻璃基片厚度的50%;總長(cháng)度≤總邊長(cháng)的5%。劃痕。
玻璃體點(diǎn)狀缺點(diǎn):包括氣泡、夾雜物、表面凹坑、異色點(diǎn)等。點(diǎn)狀缺點(diǎn)的直徑定義為:d=(缺點(diǎn)長(cháng)+缺點(diǎn)寬)/2。
玻璃體線(xiàn)狀缺點(diǎn)(寬度W):包括玻筋、光學(xué)變形。
膜層點(diǎn)狀缺點(diǎn):SIO2阻擋層和ITO導電層的點(diǎn)狀缺點(diǎn)包括小孔、空洞、顆粒等,點(diǎn)狀缺點(diǎn)的直徑定義為:d=(缺點(diǎn)長(cháng)+缺點(diǎn)寬)/2。
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